Fizika | Fénytan, Optika » Optikai rács rajzolatának elkészítése elektronsugaras litográfiával

12. sz Hallgatói mérés 12- SZ. HALLGATÓI MÉRÉS OPTIKAI RÁCS RAJZOLATÁNAK ELKÉSZÍTÉSE ELEKTRONSUGARAS LITOGRÁFIÁVAL Bevezetés: 1. A litográfiai technológiák áttekintése 2. Fotolitográfia .21 Hagyományos optikai litográfia .211 Pásztázó lézersugaras beírási technika 2.12 Holografikus interferencia litográfia 2.2 Röntgen sugár litográfia 2.3 Ionsugaras litográfia 3. Pásztázó elektronsugaras litográfia 3.1 A BME-n kialakított, a mérésben használt kísérleti elektronsugaras beíró készülék rövid ismertetése 3.2 A litográfia menete üveghordozóra történő írás esetén (technológiai lépések) 3.21 Reziszt felvitel 3.22 Aranyozás 3.23 Beírás 3.231 A preparált minta felhelyezése a speciális 3.232 Munkadarab behelyezése a vákuumtérbe 3.233 Árambeállítás 3.234 Nyalábkioltó (beam-blank) beállítása 3.235 Fókuszálás, asztigmatizmus korrekció 3.236 Irási pozíció megkeresése 3.237 Megfelelő nagyítás beállítása

3.238 Átállás külső pásztázásra 3.239 Expozíció 3.24 Előhívás 3.241Aranyeltávolítás 3.242 Előhívás 3.243 Lefújás 3.3 Ábrakialakítás (Pattern Generator) 3.31 Képméret, felbontás 3.32 Rajzolható elemek 3.33 Expozíciós idő meghatározása 3.4 A rács kialakítása a reziszt ábra elkészítése után 3.41 Lift-off technika 3. Feladat 1 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés Bevezetés: A korszerű mikroelektronikai, optoelektronikai, integrált optikai eszközök planárisak, felületük strukturált. Ez azt jelenti, hogy rajzolatokat alakítanak ki rajtuk és a rajzolat egyes zónáiban a felületet különböző technológiai eljárásokkal módosítják, miközben a felület többi részét védik. Így pl: tranzisztorok aktív zónáit, vagy optikai hullámvezetők csatornáit különbözőképpen adalékolják, strukturált huzalozást párologtatnak, optikai rácsot készítenek stb. E feladatokat általában a litográfiai

technológia alkalmazásával lehet végrehajtani. Tipikusan felületi struktúrával rendelkező optikai elem az optikai diffrakciós rács, mely rendkívül sokoldalúan használható optikai rendszerekben. A laboratóriumi gyakorlat keretében elektronsugaras beírással előre specifikált, szubmikronos rácsállandóval rendelkező optikai rács rajzolatát készítjük el üvegre felvitt elektronsugárra érzékeny, PMMA reziszt rétegben. A gyakorlat során a hallgatók megismerik a litográfiai ábraképzés alapjait, az elektronsugaras beírás alapvető sajátosságait és technológiai problémáit. 1. A litográfiai technológiák áttekintése A litográfiai technológia lényege, hogy a struktúrálandó felületet egy sugárzás- (fény-, elektron-, ion-, vagy röntgen-) érzékeny réteggel (reziszt) vonják be, majd ebbe a rétegbe a sugárzás segítségével "beírják" a kívánt rajzolatot. Ahol a réteget sugárzás érte, szerkezete vagy kémiai

összetétele megváltozik és az előhívóban oldhatóvá (pozitív reziszt) vagy pedig az előhívó oldattal szemben ellenállóvá (negatív reziszt) válik. Ahol a reziszt fenn van, védi a felületet a következő technológiai lépéstől, ahonnan eltűnik ott a technológiai lépés végrehajtható. Amennyiben a reziszt a technológiai lépéssel szemben nem ellenálló, akkor egy maszkoló réteget kell felvinni, ami megfelelően védi az inaktív felületet, és azon a megfelelő helyeken "ablakot" kell nyitni a litográfiával. A litográfiai technológia szűkebb értelemben két munkafolyamatot takar (ld. 121 ábra) Egyiket, a technológiai folyamatot horizontálisan ábrázoltuk melynek fő lépései: - reziszt felvitel - beírás - előhívás 2 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés Maszk Képadatok Röntgensugár Ultraibolyafény Maszkot pásztázó ionsugár Pásztázó lézersugár Pásztázó elektronsugár Litográfia Reziszt

felvitel Hordozó Beírás Elõhívás Maratás Rétegfelvitel (Lift-off) Speciális felület módosítás 12.1 ábra Képkialakítási technikák rezisztekben. Az ultraibolya fénnyel történő beírás és a pásztázó lézersugaras beírás a hagyományos ún. fotolitográfiai technológia alfajai A másik munkafolyamat az ábrakialakítást az ábrán vertikálisan tüntettük fel. A két folyamat a beírásnál találkozik Az alkalmazott sugárzás fajtájától függően az ábrakialakítás két féle lehet. Történhet megfelelően kialakított, a rajzolatot tartalmazó maszk rétegen keresztül vagy pedig direkt írással. Utóbbi nagy felbontású erősen fókuszált pásztázó besugárzást (pl. lézerfény, elektron-, ionsugár) követel. Az ábrakialakítás az előző esetben a maszk készítését, utóbbi esetben pedig a pásztázást vezérlő program elkészítését jelenti. A maszk alkalmazása nagy sorozatú gyártás esetén indokolt. Az 12.1 ábrán

feltüntettük a szokásos beírási technikákat és bejelöltük az alkalmazás módját (maszk vagy direkt írás). A beírási technikák megválasztását a készítendő ábra - mérete; részletessége (felbontása); - darabszáma határozza meg. A litográfiai lépést követő lépések 3 csoportba oszthatók: - maratás, 3 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés - réteg felvitel lift-off technikával, - olyan speciális felületmódosító technológiai lépés, ahol a reziszt védőhatása megfelelő. A továbbiakban összefoglaljuk röviden az egyes beírási technikák jellemzőit. Az elektronsugaras litográfiával részletesen külön, a 12.2 pontban foglalkozunk 2. Fotolitográfia 2.1 Hagyományos optikai litográfia A képkialakítás a rezisztben 436 nm-es hullámhosszú UV fénnyel (G-vonal) való megvilágítással, maszkon keresztül történik. Széles körben elterjedt fotolitográfiai módszer a hagyományos kontakt másolás. Ennél a

technikánál az üveglemezen kialakított ábra (maszk) szoros közelségben van a hordozón lévő reziszt réteggel. Mivel a maszk és a reziszttel bevont hordozó közötti légrésben fényelhajlás következik be, és ez lekerekített reziszt-profilokat és a mérettartás csökkenését eredményezi, ezért ezzel a módszerrel az elérhető minimális vonalszélesség ≥ 2 μm. Nagy fejlődést jelentett a litográfiában a step and repeat másolók és nagy felbontóképességű reziszt rendszerek bevezetése, valamint az exponáló fény hullámhosszának csökkentése. Egy optikai rendszer elméleti felbontóképessége (R), egyenesen arányos az exponáló sugárzás hullámhosszával (λ) és fordítottan arányos a rendszer numerikus apertúrájával (NA) R=kλ/NA, ahol a k arányossági tényező rendszerint a diffrakció limitált optikák esetén az elméleti Rayleigh korlát. A NA növelésének korlátai vannak, ezért a nagy felbontóképesség elérésének egyik

lehetősége a NA állandó értéken való tartása mellett az exponáló fény hullámhosszának csökkentése. A már kapható I-vonalas (365 nm) rendszerek felbontóképessége 0,7 μm. 2.11 Pásztázó lézersugaras beírási technika Kifejlesztettek lézeres, pásztázó beírókészüléket is, ami kiküszöböli a maszk alkalmazását, felbontását (elérhető minimális vonalszélesség) pedig a lézersugár fókuszált foltmérete adja, ami az alkalmazott hullámhossz nagyságrendjénél valamivel nagyobb. A pásztázás történhet álló sugár alatt a munkadarab alatti asztal mozgatásával vagy aktív eltérítő rendszerrel (scanner). 4 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés 2.12 Holografikus interferencia litográfia Az elektronsugaras litográfia mellett az egyik leghatásosabb fotolitográfiai módszer finom periódusú rácsok előállítására. A készítendő rács képe hologramként képződik a rezisztben. A hologramot két megfelelő

szögben beeső sugárnyaláb interferenciájának eredményeképpen hozzák létre. A kívánt rács periódusmérete a beesési szögek megfelelő értékű megválasztásával érhető el, és nagysága: Λ=λ/(sinΘ1 + sinΘ2); Θ1=Θ2=Θ ami esetében Λ=λ/2sinΘ ahol Λ a rácsperiódus, λ a két síkhullám hullámhossza, Θ a síkhullámok beesési szögének fele. Fényforrásként Ar lézert (λ=4880 Ĺ, 4575 Ĺ) vagy kisebb teljesítményű, rövidebb hullámhosszú He-Cd lézert használnak, mivel a rezisztek érzékenysége a kék-ultraviola tartományba esik. 2.2 Röntgen sugár litográfia A röntgensugaras litográfia árnyék nyomtatási technika, alapelveiben hasonló a fotolitográfiai kontakt másoláshoz. A kb 4-44 Ĺ hullámhossztartományt használják. A maszk röntgen sugarak számára félig átlátszó membránon létrehozott abszorbeáló képből áll. Hogyha 8,34 Ĺ hullámhosszúságú röntgen sugarat (Al forrás K vonala) használnak, a

maszkot 3 μm vastag Si membránból vagy 6 μm vastag myloarból készítik el. Ezen van a kb 4000 Ĺ vastag, aranyból készült abszorbeáló ábra. Lágyabb röntgen sugárzás 13,3 Ĺ alkalmazása esetén (Cu forrás L vonala) maszkként Si3N4 használata javasolt, ezen az abszorbeáló Au réteg vastagsága mindössze 1000Ĺ. A röntgen sugár litográfiához szükséges maszkokat elektronsugaras litográfiával, holográfiával vagy röntgen litográfiával készítik el fémből lift-off technika, vagy ionsugaras marás segítségével. A hordozón az ábrát PMMA-ban alakítják ki. A röntgen litográfia előnye a nagy felbontóképesség, ~ 500 Ǻ, és a röntgen sugaraknak az a tulajdonsága, hogy egyenes vonalban terjednek, elhanyagolható elhajlással, ezért a maszk szórt mezőin vagy szennyeződéseken nem térülnek el. 5 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés 2.3 Ionsugaras litográfia Alapelveiben hasonló az elektronsugaras litográfiához

(ld. 143 pont), közvetlen, maszk nélküli ábra beírására is alkalmas, amelyet Ga és Si ionsugarakkal végeznek. Az ionsugaras berendezésekben a fókuszált ionsugarak eltérítését számítógép irányítja. A reziszt itt is lehet PMMA, amelynek érzékenysége ionsugarakra nézve sokkal nagyobb, pl. 100 kV-os Ga ionokra kb százszorosa az elektronsugarakra való érzékenységnek. 3. Pásztázó elektronsugaras litográfia A pásztázó elektronsugaras litográfiában egy kis nyalábátmérőjű elektronsugárral pásztázzák végig a sugárzás-érzékeny polimerrel (PMMA) bevont hordozót. Bár az elektronsugaras beíró technikát a félvezető ipar számára fejlesztették ki, a számítógépvezérelt elektronsugár nagyon hatásosan alkalmazható optikai eszközök gyártásában. A fókuszált elektronsugár átmérője néhány nm, így a beíró készüléktől gyakorlatilag független a módszer felbontása. A minimális vonalszélességet végeredményben a

reziszt felbontóképessége adja meg. A gyakorlatban elterjedt PMMA 950 K típusú reziszt felbontása 500 μm rétegvastagság mellett 3-400 nm. Ez az érték a reziszt vastagságának csökkentésével javítható. Speciális új rezisztek alkalmazásával a felbontás 100 nm alá is csökkenthető. A fentiek alapján látható, hogy a sugarat a legvékonyabb vonal rajzolásakor is pásztázni kell a felületen. A kereskedelemben kapható elektronsugaras litográfok (áruk 1 m$) általában a sugár folyamatos pásztázása közben az asztalt mozgatják a sugár alatt. A pontosság érdekében az asztalt (a munkadarabbal) interferométerrel vezérlik. Az ábrák rajzolása vezérlési programok elkészítése jól felszerelt számítástechnikai hátteret és hosszú futtatási időket igényel. Laboratóriumi alkalmazásra viszonylag olcsón, kb. 200 e$-ért összeállítható egy nagy felbontóképességű elektronsugaras litográfiai rendszer egy közönséges pásztázó

elektronmikroszkópból (scanning electron microscope, a továbbiakban SEM), amely egy speciális, a pásztázást kívülről vezérlő elektronikán keresztül egy személyi számítógéphez van kapcsolva. A rendszerben az eredeti SEM elektron-optikáját, képernyőjét és mintatartóját használják fel. 6 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés Ilyen rendszert fejlesztettünk ki a BME Atomfizika Tanszéken kísérleti célra. A továbbiakban ezt a rendszert és a hozzá tartozó technológiát ismertetjük. 3.1 A BME-n kialakított, a mérésben használt kísérleti elektronsugaras beíró készülék rövid ismertetése A készülék alapját egy JEOL 840A (JEOL Ltd., JAPAN) pásztázó elektronmikroszkóp (SEM) képezi, melyhez egy személyi rendszer (RAITH GmbH, számítógépes (PC 386) vezérlő DEUTSCHLAND) csatlakozik. SEM VEZÉRLÕ JEOL 840A beam-blank video x, y interface külsõ pásztázó x, y E-sugár IBM PC AT minta x asztalmozgató

motorok y motor meghajtó motor interface (RS 232) kézi mintapozícionáló 12.2 ábra A kísérleti elektronsugaras beíró készülék blokkvázlata A vezérlő a SEM elektronsugarát kívülről el tudja téríteni, be- és ki tudja kapcsolni, továbbá a SEM által szolgáltatott VIDEO (detektor) jelet fel tudja dolgozni. 7 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés A SEM szerepe háromféle: - belső üzemmódban mint pásztázó elektronmikroszkóp működik - külső üzemmódban biztosítja a fókuszált, kívülről pásztázható intenzitás szabályozott elektronsugarat. - külső üzemmódban detektálja a pillanatnyilag visszaszórt elektronokat és továbbítja a vezérlő felé. A SEM bármikor visszakapcsolható SEM üzemmódba, de ilyenkor az automatikus pásztázás eredményeként a reziszt megvilágítódik, ezért olyan írási technikát kellett kifejleszteni, hogy minden lépés gyakorlatilag a külső vezérlőről végrehajtható

legyen. A számítógépes vezérlő rendszernek három funkciója van. 1. Lehetővé teszi az ábrakialakítást (EDITOR) és az ábrát írhatóvá teszi. A funkció neve: ábrakialakítás (PATTERN GENERATOR). Felismerhetővé teszi a munkadarab egyes (jelzéssel ellátott) pontjait és lehetővé teszi a pontos illesztést. A funkció neve: illesztés (MATCHING) Vezérli a kialakított ábrának megfelelően a sugarat. A funkció neve: írás (WRITING) 2. 3. 3.2 3.21 A litográfia menete üveghordozóra történő írás esetén (technológiai lépések) Reziszt felvitel Centrifugával, 5000 fordulat/perc sebességgel történik. A reziszt anyaga: PMMA (polimetil-metakrilát). Típusa: 950K Vastagsága 500 nm. A centrifugálást megelőzi egy alapos alkoholos tisztítás E lépések nagy tiszta laboratóriumban (10-es osztály) végzendők. 3.22 Aranyozás A reziszttel bevont hordozóra vékony Au-réteget párologtatunk a feltöltődés elkerülése (elektronok elvezetése)

érdekében. 3.23 Beírás 3.231 A preparált minta felhelyezése a speciális mintatartóra A mintatartón leszorító érintkezők biztosítják a munkadarab rögzítését és az elektromos kontaktust az Au-felülettel. 8 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés 3.232 Munkadarab behelyezése a vákuumtérbe A SEM zsilipelt mintaberakóval van ellátva, így a vákuum romlása nélkül a munkadarab írási pozícióba tehető néhány perc alatt. 3.233 Árambeállítás A helyes írás feltétele a rezisztet érő elektronsugárzás dózisának megfelelő értékre állítása és annak tartása. A dózist két érték, az expozíciós áram (elektronsugár árama) és az expozíciós idő (a sugár egy helyben maradásának ideje) határozza meg. Ezért az elektronáramot a megfelelő értékre kell állítani. Ehhez a mintatartón elektrométerre kivezetett Faraday kalicka van kialakítva, ami lehetővé teszi a sugár áramainak beállítását és

figyelését. Az árambeállítás menete tehát: 1. Kalicka sugár alatti pozícióba hozatala a kicsi mintamozgató segítségével. 2. Nagyfeszültség (gyorsító) felkapcsolása (20 kV) 3. Katód felfűtés Ezután az elektronsugár rendelkezésre áll 4. Árambeállítás 5. Várakozás (kb 20 perc) a stabil áramérték elérése érdekében 3.234 Nyalábkioltó (beam-blank) beállítása Az egyes ábra elemek expozíciója végeztével a sugarat más helyre kell vinni, hogy új ábrarészletet rajzoljon. Ez idő alatt a felesleges expozíció elkerülése végett a nyalábot ki kell kapcsolni. Ezt az elektronágyura szerelt vékony rés biztosítja, melynek egyik falára, ha feszültséget kapcsolunk a sugarat rendkívül gyorsan eltéríti és így a sugár nem jut a mintára. A rés feszültségét a számítógép vezérli az írás során. A rést pontosan a sugárra kell állítani egy mikrométerorsó segítségével és ellenőrizni kell kapcsolási hatásfokát. 3.235

Fókuszálás, asztigmatizmus korrekció A munkadarab egy funkcionálisan passzív felületére (pl. sarkára) visszük a mintatartó mozgatásával a sugarat és normál SEM üzemmódban élesre állítjuk a képet, ellenőrizzük az asztigmatizmust és korrigáljuk, ha szükséges. 9 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés 3.236 Irási pozíció megkeresése Kikapcsolt sugár mellett a mintamozgató segítségével írási pozícióba visszük a munkadarabot. A minta asztalt mozgató elektronikus vezérlés 1μm-es leolvasási pontosságot tesz lehetővé, de mivel a vezérlés direkt (nincs interferometrikus asztalpozíció mérés), a munkadarabon ez 4-5 μm-es pontosságú beállítást jelent csak. Ha ennél nagyobb pontosságú beállás a követelmény a vezérlő rendszer illesztő funkciójával kell a pozíciót megtalálni, de ehhez a munkadarabot előzőleg jelzésekkel kell ellátni. A feladatban szereplő rács rajzolásakor erre a pontosságra

nincs szükség, elegendő az asztalmozgató leolvasási és visszaállási pontossága. 3.237 Megfelelő nagyítás beállítása A rendszer hitelesített képmérettel rendelkezik 85, 90, 95, 100 és 105 x-ös nagyítások esetén. 85 x-ös nagyítás esetén a képméret 1153 μm x 1153 μm. 3.238 Átállás külső pásztázásra Aktiváljuk a SEM külső vezérlést engedélyező egységét, ezek után a SEM rajzolásra kész, a sugárral a számítógépes vezérlő rendelkezik. 3.239 Expozíció A megfelelően megrajzolt, ábra mentén az előre meghatározott írási programnak megfelelően a vezérlő végigpásztázza a munkadarabot. Az ábra kialakításáról és az expozíciót vezérlő paraméterek meghatározásáról a 2.3 pontban szólunk Az Expozíció végén a katódáramot levesszük, a gyorsító feszültséget levesszük és a munkadarabot kizsilipeljük a SEM-ből. 3.24 Előhívás 3.241Aranyeltávolítás A megfelelő előhívó hatás eléréséhez a

töltődést akadályozó Auréteget lemaratjuk. A maró a rezisztet nem sérti 10 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés 3.242 Előhívás A munkadarabot az előhívási idő tartamára (kb. 45 sec) az előhívóba helyezzük, majd az előhívást megállítjuk, ehhez mintegy 510 mp-re az öblítőbe tesszük. 3.243 Lefújás A felületen maradt folyadékot nagynyomású, tiszta nitrogén gázzal eltávolítjuk. A lakkban ezután előállt, és mikroszkópon megfigyelhető az ábra. 3.3 Ábrakialakítás (Pattern Generator) Az ábrakialakítás 3 dolgot jelent: - a rajzolandó kép hozzáillesztését a fizikai méretekhez; - a kívánt rajzolat felbontását rajzolható elemekre; - expozíciós idők definiálását. 3.3 1 Képméret, felbontás A pásztázható felület fizikai méretét a nagyítás adja. Pl 85x-ös nagyításnál 1153 μm x 1153 μm. Ezt a képet a Pattern-generator program max. 215 x 215 képpontra (pixel) bontja 3.32 Rajzolható elemek

A vezérlő háromféle elemet: -téglalapot; -háromszöget; körgyűrűszeletet; tud rajzolni, így ábránkat a képmezőben ilyen elemekre kell bontani. A vezérlő program az egyes elemeket pixelben mért pozícióikkal és méretükkel egy adatmezőben sorban elhelyezi, amit a sugárvezérlő program sorban kiolvas és a sugarat a definiált elem mentén pásztázza. . 3.33 Expozíciós idő meghatározása Az egyes elemekhez különböző dózisú (százalékban definiált) expozíciót rendelhetünk. Ez fontos, mivel a sugár szóródik a rezisztben. A sűrűn megvilágított helyeken és a ritkán megvilágított helyeken más lesz a szóródásból adódó túlexponáltság. Ezt alávilágítási (proximity) effektusnak hívjuk. Az alávilágítást kikerülendő, szimuláló programok segítségével meg lehet határozni a 11 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés helyes lokális dózisokat. A mérés során készítendő optikai rácsnál ez

elhanyagolható. A 100 %-os dózishoz tartozó expozíciós időt ezek után a reziszt érzékenysége (katalógusadat, de kísérletileg pontosítandó) és az alkalmazni kívánt elektronáram függvényében meghatározzuk és megadjuk az ábragenerátornak. A fenti három pont alapján készített adatmezőt a vezérlő olvasni tudja. Az adatmező létrehozásában egy GEM szoftver alá írt egyszerűen kezelhető szerkesztőprogram segít, mely "menü" rendszerben kínálja fel az adatok megadását. 3.4 A rács kialakítása a reziszt ábra elkészítése után Mint mondtuk a reziszt ábra elkészítése után kihasználva a reziszt védő hatását háromféleképp járhatunk el: 1. 2. 3. 1). végrehajtjuk a felületmódosító technológiai lépést (feltétele a reziszt védő hatása); 2). kimaratunk egy a hordozót előzetesen védő réteget; 3.) lift-off technikát alkalmazunk és így réteget készítünk. Az optikai diffrakciós rácsnál kétféleképpen

járhatunk el: 1.) Lift-off technikával dielektrikum réteget viszünk fel 2.) Ionsugaras bombázással (ionos maróval) magába a hordozóba marjuk a profilt. Ehhez a megfelelő (ionsugár elleni) védelmet nyújtó maszkrácsot kell felvinnünk lift-off-al. 3.41 Lift-off technika Mindkét eljárás kulcslépése a lift-off technika, melyet röviden ismertetünk. Széles körben elterjedt képkialakítási technika, amelyet a szubmikronos képek előállításánál előnyben részesítenek. Bármelyik megvilágító rendszerrel kivitelezhető és rendkívül nagy előnye, hogy az ábra kialakítás a litográfiát követő leválasztással befejezettnek tekinthető, tehát semmiféle marást vagy maró berendezést nem igényel. A technika kivitelezésének menete a következő: 12 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói mérés A hordozóra felvitt sugárzás-érzékeny rezisztben kialakítják a kívánt ábra negatív képét, majd ezt követően a leképzendő

vékony réteget leválasztják a hordozóra vákuum gőzöléssel, vagy porlasztással. Ezután a hordozót szerves oldószerbe mártják A reziszt kioldódik az oldószerben, amely áthatol a reziszt lépcsőnél a felvitt réteg vágott vonalán keresztül és a reziszt tetején lévő réteg eltávolítható a reziszttel együtt. Reziszt Hordozó a. Vékony réteg b. c. 3. ábra Képátvitel lift-off technikával: a.) Képkialkítás a rezisztben, b) Vékonyréteg leválasztása, c.) Reziszt kioldása A lift-off technika nem alkalmazható azokban az esetekben ahol a vékonyréteg előállítása magas hőmérsékletű folyamat, vagy ahol a megkövetelt rétegvastagság nagyobb, mint a reziszt réteg vastagsága. 3. Feladat Elkészítendő egy optikai rács rezisztábrája! A rácsnak a 633 nm hullámhosszal rendelkező fényt elsőrendben előre megadott, a mérés elején definiálandó szögben kell eltérítenie! 13 BME Atomfizika Tanszék 2006. 12. sz Hallgatói

mérés A rács nagysága 1 x 1 mm. .1 Meghatározandó a rácsállandó! (Önálló feladat.) .2 Ábrakészítő program segítségével elkészítendő a rács (a kezelő program ismertetése után önálló feladat, amit utána a mérésvezetővel közösen ellenőriznek)! .3 Végrehajtandó az előre reziszttel bevont hordozó beírása a 2.2 pontnak megfelelően (mérésvezetővel közösen)! .4 Ellenőrzés fénymikroszkóppal (önállóan)! 14 BME Atomfizika Tanszék 2006